K4B2G1646F-BCMA

首页产品MEMORY存储芯片DDR三星DDR3K4B2G1646F-BCMA
三星SAMSUNG代理商 DDR3 K4B4G1646E-BYMA
 
三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量

2Gb

架构

128M x 16

速度

1866 Mbps

电压

1.5 V

温度

0 ~ 85 °C

封装

96FBGA

型号

K4B2G1646F-BCMA

 
三星SAMSUNG代理商,欢迎咨询,还有更多产《DDR》。
在线咨询关于大鑫浪产品联系我们